Die Rasterelektronenmikroskopie (REM) erlaubt die Abbildung von Oberflächen, Bruchflächen oder Querschliffen mit hoher Auflösung (2 - 5 nm) und hoher Tiefenschärfe. Es ist ein vielseitiges Werkzeug, welches es ermöglicht, innerhalb von Sekunden den Vergrößerungsbereich um ein 20 bis 200 000-Faches zu durchfahren, schnell von einer Probe zur nächsten zu wechseln und mittels Bedampfung auch nichtleitfähige Oberflächen abzubilden. In Verbindung mit der Röntgenspektroskopie (EDX) ist die REM-Analyse das ideale Werkzeug zur Schadensanalyse, weil es mikroskopische Visualisierung und chemische Punktanalyse miteinander verbindet.
Querschliff eines TiN/TiAlN-Multilayers mit eingewachsenem Defekt. Der Kontrast zwischen den Schichten kommt durch die unterschiedliche mittlere Ordnungszahl der TiN-Schichten (hell) und der TiAlN-Schichten (dunkler) zustande. Das WC-Hartmetallsubstrat erscheint besonders hell.
DLC-Schicht mit verschiedenen metallischen Zwischenschichten. Die Zwischenschichten zeigen ausgeprägte Säulenwachstumsstrukturen, während die DLC-Schicht amorph und strukturlos ist.
Hochauflösende Abbildung von beschichteten Nanofasern zeigt die Faserdurchmesser von ca. 300 nm und die ca. 10 nm großen Körner der metallischen Beschichtung.