Chemische Gasphasenabscheidung

 7-Kammer-Durchlaufanlage zur Abscheidung von Silizium und Siliziumnitridschichten mit dem Heißdraht-CVD-Verfahren.
© Fraunhofer IST, Rainer Meier, BFF Wittmar
7-Kammer-Durchlaufanlage zur Abscheidung von Silizium und Siliziumnitridschichten mit dem Heißdraht-CVD-Verfahren.

Unsere Technologien im Bereich der CVD

Am Fraunhofer IST stehen verschiedene Verfahren der chemischen Gashasenabscheidung (engl.: Chemical Vapour Deposition CVD) zur Verfügung. Neben verschiedenen Verfahren der heißdrahtaktivierten CVD können wir unseren Kunden die Atomlagenabscheidung (engl.: Atomic Layer Deposition ALD) sowie Verfahren der plasmaaktivierten CVD anbieten. Je nach Fragestellung und Anwendung weisen die Verfahren spezifische Vorteile auf, sprechen Sie uns an!

 

Heißdrahtaktivierte chemische Gasphasenabscheidung

 

Atomlagenabscheidung

 

Plasmaaktivierte chemische Gasphasenabscheidung

 

Photo- und elektrochemische Umwelttechnik