Chemische Gasphasenabscheidung

 7-Kammer-Durchlaufanlage zur Abscheidung von Silizium und Siliziumnitridschichten mit dem Heißdraht-CVD-Verfahren.
© Fraunhofer IST, Rainer Meier, BFF Wittmar
7-Kammer-Durchlaufanlage zur Abscheidung von Silizium und Siliziumnitridschichten mit dem Heißdraht-CVD-Verfahren.

Unsere Technologien im Bereich der CVD#

Am Fraunhofer IST stehen verschiedene Verfahren der chemischen Gashasenabscheidung (engl.: Chemical Vapour Deposition CVD) zur Verfügung. Neben verschiedenen Verfahren der heißdrahtaktivierten CVD können wir unseren Kunden die Atomlagenabscheidung (engl.: Atomic Layer Deposition ALD) sowie Verfahren der plasmaaktivierte CVD anbieten. Je nach Fragestellung und Anwendung weisen die Verfahren spezifische Vorteile auf, sprechen Sie uns an!

Heißdrahtaktivierte chemische Gasphasenabscheidung

Atomlagenabscheidung

Photo- und elektrochemische Umwelttechnik