Das Rasterelektronenmikroskop mit Focused Ion Beam, kurz das »FIB« genannte Verfahren, erlaubt neue Einblicke unter die Oberfläche von Materialien. Um mikroskopische Defekte, punktuelle Korrosionsstellen, Risse oder künstliche Mikrostrukturen auch unter der Oberfläche zu untersuchen und ggf. die Ursache von Defekten aufzuklären, wird zunächst mit dem Rasterelektronenmikroskop (REM) der Ort einer möglichen Fehlstelle identifiziert. Dann wird die Oberfläche mit einem fein fokussierten Ionenstrahl unter Sichtkontrolle senkrecht aufgeschnitten. Das Material wird dabei auf einer Seite der Schnittfläche mit dem Ionenstrahl abgetragen, sodass anschließend ein Blick schräg auf die Schnittfläche moglich ist. Der Vorteil der Verwendung des FIB ist, dass die Schnittflache mit submikrometer Genauigkeit positioniert werden kann, sodass auch kleinste Strukturen im Querschnitt darstellbar sind.
Die technischen Daten des vom Fraunhofer IST verwendeten FIB finden Sie hier.