Ghent, Belgien  /  6.12.2018  -  7.12.2018

17. International Conference on Reactive Sputter Deposition RSD

Die International Conference on Reactive Sputter Deposition RSD bietet eine Plattform für Wissenschaftler, Ingenieure und Studierende, die neuesten Entwicklungen im Bereich der Beschichtung mittels reaktiver Kathodenzerstäubung zu diskutieren. Die Konferenz wurde im Jahr 2000 von der DRAFT-Forschungsgruppe an der Universität Ghent gegründet. Seither findet sie jährlich statt, in jedem zweiten Jahr im belgischen Ghent und in den Jahren dazwischen an wechselnden Standorten von Universitäten oder Forschungsinstituten. Der Austragungsort der 17. RSD-Konferenz ist Ghent.

Mittlerweile stellt die Konferenz einen etablierten Treffpunkt für Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler aus aller Welt dar, um sich über neueste Ergebnisse und Trends auszutauschen. Das Fraunhofer IST, das die nächste RSD-Konferenz 2019 organisieren und veranstalten wird, beteiligt sich auf der diesjährigen Konferenz mit einem Beitrag am wissenschaftlichen Programm. Holger Gerdes, langjähriger Mitarbeiter der Gruppe »Hochionisierte Plasmen und PECVD« des Fraunhofer IST stellt mit seinem Vortrag zum Thema »Reactive HIPIMS: Controlling stoichiometry and ionization« eine reaktive Prozesskontrolle vor. Diese basiert auf der Plasmaemission mit zeitgleicher Erfassung des Spitzenstroms.

 

Freitag, 7. Dezember 2018

 

15:20 - 15:40 Uhr 

»Reactive HIPIMS: Controlling stoichiometry and ionization«

H. Gerdes, J. Rieke, R. Bandorf, T. Schütte, G. Bräuer

In recent years, High Power Impulse Magnetron Sputtering (HIPIMS) has shifted not only in research from metallic to reactive processes. For mid-frequency or DC processes, it is well known that for controlling the stoichiometry of the deposited films especially for oxides a process control is necessary. This process control can be based on the target voltage, partial pressure, or plasma emission. While the target voltage is an averaged value over the target length, the other two can deliver values at different location of the target. Therefore, the partial pressure and plasma emission can be used to control reactive processes over longer targets. However, by changing the working point of a sputtering process, especially in HIPIMS, the peak current and therefore the film properties are changed.

This presentation will show a process control based on plasma emission monitoring, including a possibility to monitor the peak current in real-time. The process control allows on one hand to control the stoichiometry of the films and on the other hand the ionization degree of the sputtered material.