PACVD-Verfahren

Die Technologie

Beim plasmaaktivierten CVD-Verfahren (PACVD; PECVD) unterstützt ein Plasma die Abscheidung von Schichten aus der Gasphase. Dabei werden Precursoren (in Form von Gasen oder Dämpfen) verwendet, die die Elemente des Schichtmaterials enthalten. Am Fraunhofer IST wird dieses Verfahren vor allem zur Abscheidung modifizierter diamantähnlicher Kohlenstoffschichten (a-C:H:X, X steht für die zusätzlich eingebrachten Elemente, z. B. Si, O, F) verwendet. Als Precursoren dienen dabei Verbindungen wie TMS oder HMDSO. Mit PACVD-Verfahren lassen sich auch Hartstoffschichten, wie TiN oder TiCN herstellen.

Vorteile

Modifizierte a-C:H:X-Schichten werden vor allem dann benötigt, wenn das Benetzungsverhalten gezielt verändert werden soll. Diese a-C:H:X-Schichten sind elektrisch isolierend und lassen sich daher nur mittels PACVD herstellen. Ein weiterer wesentlicher Vorteil der PACVD-Verfahren besteht darin, dass im Gegensatz zu reinen CVD-Verfahren bei niedrigen Temperaturen (a-C:H:X: < 200 °C) gearbeitet werden kann. Am Fraunhofer IST sind mehrere PACVD-Anlagen im Einsatz, darunter eine Anlage mit industrietypischen Dimensionen (> 1 m³). Heute typische Beschichtungsraten liegen im Bereich von 1 µm/h.