Fraunhofer-Institut für Schicht- und Oberflächentechnik ISTDie Technologie
Die Atomlagenabscheidung ALD (eng. Atomic Layer Deposition) ist ein modifiziertes Verfahren der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD, eng. Chemical Vapour Deposition). Die Merkmale des Prozesses sind zwei aufeinanderfolgende sich selbst begrenzende Oberflächenreaktionen, so dass extrem dünne, defektfreie und äußerst homogene Schichten abgeschieden werden können. Eine besondere Variante ist die Plasma-Atomlagenabscheidung, bei der die Aktivierung des zweiten Prekursors mittels Plasma erfolgt. Hiermit können weniger reaktionsfreudige Prekursoren genutzt oder alternativ die Substrattemperatur, z. B. zur Beschichtung empfindlicher Substrate, abgesenkt werden. Im Vergleich mit anderen PVD- und Plasma-CVD-Abscheideverfahren wird das zu beschichtende Teil durch das Plasma nicht geschädigt.