Atomlagenabscheidung

Die Technologie

Die Atomlagenabscheidung ALD (eng. Atomic Layer Deposition) ist ein modifiziertes Verfahren der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD, eng. Chemical Vapour Deposition). Die Merkmale des Prozesses sind zwei aufeinanderfolgende sich selbst begrenzende Oberflächenreaktionen, so dass extrem dünne, defektfreie und äußerst homogene Schichten abgeschieden werden können. Eine besondere Variante ist die Plasma-Atomlagenabscheidung, bei der die Aktivierung des zweiten Prekursors mittels Plasma erfolgt. Hiermit können weniger reaktionsfreudige Prekursoren genutzt oder alternativ die Substrattemperatur, z. B. zur Beschichtung empfindlicher Substrate, abgesenkt werden. Im Vergleich mit anderen PVD- und Plasma-CVD-Abscheideverfahren wird das zu beschichtende Teil durch das Plasma nicht geschädigt.

Vorteile der Atomlagenabscheidung

  • Defektfreie Schichten
  • Komplexe 3D-Konformität
  • Sanfte Abscheidung ohne energiereiche Teilchen

ALD-Prozesse am Fraunhofer IST

Am Fraunhofer IST werden ALD-Beschichtungen mit thermischer bzw. Plasma-Aktivierung entwickelt:

Anwendungen

ZnO-basierte Schichten wurden beispielsweise für TCO-Anwendungen wie Leuchtdioden oder Solarzellen sowohl mittels thermischer als auch mittels Plasma-ALD abgeschieden. Weitere Anwendungsfelder dieser ALD-Beschichtungen sind Brennstoffzellen, Li-Ionen-Batterien und korrosionsbeständige Schichten für Automobilteile. Darüber hinaus werden auch Beschichtungen für die photochemische Wasserspaltung entwickelt.

 

Weitere Informationen:

Anwendungen der Atomlagenabscheidung (ALD)

Unser Angebot

  • Bemusterung von Kundensubstraten mittels ALD, z. B. dielektrische oder transparent leitfähige Schichten
  • Entwicklung neuer (Plasma-)ALD-Prozesse zur Abscheidung gewünschter Materialien
  • Entwicklung von kundenspezifischen ALD-Schichtsystemen