Strukturierte Abscheidung

Im Bereich der »3D-MID Technologie und Makrosensorik« erfolgt über das Maskenverfahren »Aktive Maske« eine direkt strukturierte Abscheidung von Funktionsschichten. Hier können Leiterbahnbreiten von wenigstens 500 μm erreicht werden. Mit der bei Atmosphärendruck arbeitenden Plasma-Printing Technologie ist es möglich, auf Folienoberflächen kontinuierlich Strukturgrößen bis zu wenigen 10 μm selektiv zu erzeugen. Die nasschemische Metallisierung ermöglicht in einem nachfolgenden Schritt die Herstellung von Feinstleiterbahnen.