Hochohmschichten

Speziell für SMD-Widerstände wurden hochohmige Schichten entwickelt, die einen besonders niedrigen Temperaturkoeffizienten aufweisen (< 20 ppm/K). Materialbasis ist eine mit Sauerstoff dotierte CrSi-Schicht, die mittels Gasflusssputtern abgeschieden wird. Für Anwendungen in der Teilchenforschung wurden Hochohmschichten mit Schichtwiderständen im Bereich 1013-1014 MΩ auf Basis von a-C:H:Si:N hergestellt.