Zeiss Cross-Beam 340

Technische Daten

Rasterelektronenmikroskop

  • Schottky Emitter 
    • Beschleunigungsspannung: 0,1-30 kV
    • Maximaler Strom: 100 nA
    • Auflösung: ~1 nm
  • Detektoren
    • Sekundärelektronen (SE)
    • Rückstreuelektronen (BSE)
    • Inlense
    • Sekundärionen (SI)
    • Transmissionselektronen (STEM)
    • Energiedispersive Röntgenspektroskopie (EDX)
    • Variable Pressure-SE
  • Probengröße
    • Schleuse: 10 cm x 5 cm
    • Probentisch: 10 cm x 10 cm x 5 cm
  • Variable Pressure Betrieb möglich 10-60 Pa
  • Aktive Schwingungsdämpfung und Magnetfeldkompensation

Focused Ion Beam

  • Capella Ga-Ionenquelle 
    • Beschleunigungsspannung: 0,5-30 kV
    • Auflösung: 3 nm
    • Maximaler Strom: 100 nA
  • Gas-Injektionssysteme 
    • für Pt Abscheidung
    • N2 für Ladungskompensation
  • Mikromanipulator Omniprobe 200 zur in-situ TEM-Lamellen Manipulation
  • Plasma Cleaner
  • Flood-gun zur Ladungskompensation